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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電子部品·材料. Component Parts and Materials >コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製
【24h】

コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製

机译：反应溅射法利用冷喷涂法制备的Cu / Al靶材制备CuAlO_2薄膜

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コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によりCuAlO_2薄膜の作製を試みた。コールドスプレー法により作製したターゲットは合金ではなく複合金属状態であった。ターゲットのCu組成を大きくしていぐと、膜中のCu組成も増加し、Al組成は減少した。また、酸素流量を増加させることで、ターゲットのCu成分のスパッタリングレートが減少し、相対的にAlの組成比が増加することがわかった。ターゲット組成Cu:Al=28:72、酸素流量3sccmの成膜条件において、ストイキオメトリーに近い膜が得られた。また、この膜のXRD測定を行ったところアモルファスライクな膜であることがわかった。そこで、結晶化を図るためにアニール処理を施した。しかし、CuOに起因するピークのみしか得られずCuAlO_2に起因するピークは得られなかった。
机译：尝试通过反应溅射法使用通过冷喷涂法制备的Cu / Al靶来制备CuAlO_2薄膜。通过冷喷涂法生产的靶材处于复合金属状态而不是合金状态。随着靶的Cu组成的增加，膜中的Cu组成也增加并且Al组成减少。还发现，通过增加氧气流量，靶的Cu组分的溅射速率降低，并且Al的组成比相对增加。在目标组成Cu：Al ＝ 28：72的成膜条件和3sccm的氧气流速下，获得接近化学计量的膜。另外，对该膜的XRD测量表明其为非晶形膜。因此，进行退火处理以实现结晶。但是，仅获得了由CuO引起的峰，而没有获得了由CuAlO_2引起的峰。

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