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Gain coupling of class A semiconductor lasers

机译：A类半导体激光器的增益耦合

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We report on the development of a gain-coupled class A semiconductor laser for dual-wavelength generation via optical switching. A vertical external cavity surface emitting laser (VECSEL) structure is used, because it provides a flexible platform for high-power, high-brightness output in the near-IR and visible ranges. For the first time (to our knowledge), two VECSEL cavities sharing a common gain region are studied. Because the cavities are in competition for common carriers, birefringent filters in the external cavity control the laser cavity thresholds; this configuration demonstrates the possibility of switching between the two cavities, which can operate at different wavelengths. However, in this Letter we also show, numerically and experimentally, that with the consideration of spontaneous emission, it is possible to maintain simultaneous lasing in each cavity at a different wavelength.
机译：我们报告了通过光开关产生双波长的增益耦合的A类半导体激光器的发展情况。使用垂直外腔表面发射激光器（VECSEL）结构，因为它为近红外和可见光范围内的高功率，高亮度输出提供了灵活的平台。 （据我们所知），第一次研究了共享共同增益区域的两个VECSEL腔。由于这些腔室竞争于普通载流子，因此外腔中的双折射滤光片可控制激光腔的阈值;这种配置展示了在两个腔体之间切换的可能性，它们可以在不同的波长下工作。但是，在这封信中，我们还通过数值和实验表明，考虑到自发发射，有可能在不同波长的每个腔体中同时发射激光。

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