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Fe gettering by p(+) layer in bifacial Si solar cell fabrication

机译：双面硅太阳能电池制造中p（+）层吸收铁

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Gettering behaviors of Fe into solar cell grade Si are investigated by deep level transient spectroscopy. The samples contaminated with Fe in the range of the concentration of 1.5 x 10(12)-2.0 x 10(14) cm(-3) were annealed at 600 degrees C to induce gettering. It is shown that the surface layer gettering behaviors of Fe for the sample without p(+) layer strongly depend on the Fe contamination level, in which the surface layer gettering is not effective for the sample with low level contamination < 1 x 10(13) cm(-3) but effective for the sample with middle level contamination of 1-5 x 10(13) cm(-3). In contrast, the samples with p(+) layer show effective gettering for low and middle level contaminations. The gettering mechanisms in solar cell grade Si without and with p(+) layer are discussed in details. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过深能级瞬态光谱研究了铁在太阳能电池级硅中的吸杂行为。将浓度为1.5 x 10（12）-2.0 x 10（14）cm（-3）范围内的Fe污染的样品在600摄氏度下进行退火以诱导吸杂。结果表明，没有p（+）层的样品的Fe的表面层吸杂行为强烈地取决于Fe污染水平，其中对于低水平污染<1 x 10（13）的样品，表面层吸杂无效）cm（-3），但对中度污染为1-5 x 10（13）cm（-3）的样品有效。相比之下，具有p（+）层的样品对中低水平的污染物表现出有效的吸杂效果。详细讨论了不带p（+）层的太阳能电池等级Si中的吸杂机理。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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