Nonequilibrium activated dissociative chemisorption: SiH4 on Si(100)

Kavulak DF; Abbott HL; Harrison I

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Nonequilibrium activated dissociative chemisorption: SiH4 on Si(100)

机译：非平衡活化的解离化学吸附：Si（100）上的SiH4

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A three-parameter local hot spot model of gas-surface reactivity is employed to analyze and predict dissociative sticking coefficients for SiH4 incident on Si(100) under varied nonequilibrium conditions. Two Si surface oscillators and the molecular vibrations, rotations. and translational energy directed along the local surface normal are active degrees of freedom in the IS dimensional microcanonical kinetics. The threshold energy for SiH4 dissociative chemisorption is found to be 19 kJ/mol, in quantitative agreement with recent GGA-DFT calculations. A simple scheme for increasing the rate of chemical vapor deposition of silicon from SiH4 at low surface temperatures is modeled.

机译：气体表面反应性的三参数局部热点模型用于分析和预测在变化的非平衡条件下入射到Si（100）上的SiH4的解离粘附系数。两个Si表面振荡器和分子振动，旋转。沿局部表面法线定向的平移能量和平移能量是IS维微规范动力学中的主动自由度。与最近的GGA-DFT计算在定量上吻合，发现SiH4离解化学吸附的阈值能量为19 kJ / mol。模拟了一种在低表面温度下提高SiH4中硅化学气相沉积速率的简单方案。

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来源
《The journal of physical chemistry, B. Condensed matter, materials, surfaces, interfaces & biophysical》 |2005年第2期|共4页
作者
Kavulak DF; Abbott HL; Harrison I;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; SURFACE-REACTIONS; SILANE; SILICON; ADSORPTION; GROWTH; KINETICS; METHANE;

机译：化学气相沉积;扫描隧道显微镜;分子束表位;表面反应;硅烷;硅;吸附;生长;动力学;甲醇;

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Nonequilibrium activated dissociative chemisorption: SiH4 on Si(100)

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