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【24h】

Optical properties of Bi2Se3: from bulk to ultrathin films

机译：Bi2se3的光学性质：从散装到超薄薄膜

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We report on the determination of the dielectric functions of Bi2Se3 thin films and bulk material. The Bi2Se3 thin films with thicknesses ranging from 3-54 quintuple layers (QL) were grown by molecular beam epitaxy on GaAs(1 1 1) B substrates and the optical properties were determined from spectroscopic ellipsometry in the range of 0.5 eV-6eV. We observed five absorption bands in the bulk sample, with a strong maximum near 2 eV, which were also present in the films down to 19 QL. Reducing the number below 19 QL in the Bi2Se3 films caused dampening and broadening of the bulk absorption bands below 2 eV, and a shift to a higher energy of the band near 2 eV. Our experimental results thus provide evidence of marked changes in the joint density of states of Bi2Se3 below 19 QL, indicating that the whole bulk band structure is affected for the ultrathin epilayers.
机译：我们报告了Bi2Se3薄膜和散装材料的介质功能的确定。 具有从3-54夸脱层（Q1）的厚度的Bi2Se3薄膜通过分子束外延生长GaAs（111）B基质，并且从光谱椭圆形测定的光学性质在0.5 eV-6EV的范围内测定。 我们在散装样品中观察到五个吸收带，具有最大的最大近2eV，其在薄膜下方至19 QL中。 在Bi2Se3薄膜中减少19 Q1以下的数量，导致2EV以下的散装吸收带的抑制和扩展，以及在2eV附近的带的更高能量的变化。 因此，我们的实验结果提供了在19 QL以下Bi2Se3的联合密度的显着变化的证据，表明整个散装带结构受到超薄癫痫的影响。

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