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昇華法によるSiCバルク単結晶の高速成長を実現するSiC原料粉末の開発

机译：升华法实现SiC原料粉的SiC原料粉末，升华法实现SiC散装单晶的高速生长

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炭化ケイ素（SiC）はシリコンに変わる新しいパワーデバイス半導体材料として、低損失で高効率な電力変換器などへの応用が期待されている。デバイスに使われるSiCウェハの低コスト化には、SiCバルク単結晶（インゴット）の生産性向上が最も重要である。SiCインゴットは、SiC粉末原料を2，400°C程度の高温で昇華させ、再析出させる昇華再結晶法で製造する。したがって、本製造法におけるSiCインゴットの生産性は、SiC粉末の昇華特性が大きく影響し、生産性向上のためには昇華速度、昇華ガス量などが優れた高純度SiC粉末材料の開発が求められている。
机译：碳化硅（SiC）是一种新的电力装置半导体材料，其变为硅，其应用于高效功率转换器等。 为了降低用于器件的SiC晶片的成本，SiC散装单晶（铸锭）的生产率提高最重要。 SiC锭通过升华重结晶方法制造，该方法使SiC粉末原料在约2,400℃的高温下升华并转载。 因此，在该制造方法中的SiC锭的生产率极大地影响了SiC粉末的升华特性，并且需要高纯度SiC粉末材料的开发，具有优异的升华速度，升华气量等来提高生产率。

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