硝酸酸化法でTFT消費電力を144分の1に

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硝酸酸化法でTFT消費電力を144分の1に

机译：通过硝酸氧化方法，TFT功耗为144分钟

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大阪大学の小林光教授らは、従来の100分の1以下の電力で液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ（TFT）を動作できる新技術「硝酸酸化法」を開発した。シリコンを120°C以下で酸化させ、電気特性の優れた二酸化シリコン膜を形成できるのが特徴。硝酸酸化法では濃度が68％以上の硝酸水溶液にシリコンを浸す。硝酸が分解し、強い酸化力のある解離酸素イオンがシリコンと反応して、120°C以下で二酸化シリコン膜が形成される。

机译：大阪大学的Hobayashi Otsu开发了一种新的技术“硝酸氧化方法”，其可以用传统的100/1电力操作液晶显示器的薄膜晶体管（TFT）。其特征在于120℃或更小的硅氧化，并且可以形成具有优异的电性能的二氧化硅膜。在硝酸氧化方法中，硅浸入浓度为68％或更高的硝酸水溶液中。硝酸分解，并且强氧化多脂离子与硅反应，以在120℃或更低的120℃形成二氧化硅膜。

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来源
《工業材料》 |2011年第2期|共1页
作者
工業材料Group;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类工程材料学;
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