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MRAMの大容量化に向けた電流制御技術を開発

机译:MRAM大容量电流控制技术的开发

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摘要

高エネルギー加速器研究機構(KEK)の久保田正人助教と東京大学の尾鴨正治教授らは共同で次世代不揮発性磁気メモリー(MRAM)の大容量化に向けた電流制御技術を開発した。 現在主流の金属材料に比べて磁気抵抗効果の高いマンガン酸化物を電極の磁性材料に使用、基板に電極を制御しながら積層することで、磁化の向きをコントロールできた。 開発技術は、より小型で大容量のMRAMの実現につながる。
机译:Hisoda Hisa Hisa的助理教授(Kek)和Tachido Norimogata,东京大学联合开发了电流控制技术,用于下一代非易失性磁记忆(MRAM)的高容量减少。 与主流金属材料相比,使用磁化作为电极的磁性材料,并且可以通过使用电极的磁性材料来控制磁化方向并在控制电极的同时层压电极。 开发技巧导致更紧凑,大容量的MRAM实现。

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  • 来源
    《工業材料》 |2007年第12期|共1页
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  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 工程材料学;
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