こうして使おうパワーデバイス 第31回 Si MOSFETでGaNに匹敵する高性能を実現したインフィニオンのC7 Gold

寺前裕司

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【24h】

こうして使おうパワーデバイス第31回 Si MOSFETでGaNに匹敵する高性能を実現したインフィニオンのC7 Gold

机译：这种动力装置是31st Si MOSFET C7金，这实现了与SI MOSFET中的GaN相当的高性能

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インフィニオンではこれまで16年以上にわたって，Super Junction（SJ）構造の採用でクラス最高の低オン抵抗とスイッチング特性を実現したCoolMOS製品を市場に送り出してきました．最新製品のC7 Goldは，従来のBest in Class製品であるC7のSi特性をさらに改良するとともに，小型で高電力密度に対応したTOLLパッケージを採用して，より高効率で使いやすい製品となっています．今回は，C7 GoldとTOLLパッケージについてご紹介します．

机译：英飞凌已经诱发了16岁以上的超交界（SJ）结构，以及酷热产品，以便采用超级交叉口（SJ）结构对课程的最高电阻和转换特性。最新产品C7黄金可提高常规产品中最佳产品的SI特性，采用符合紧凑且高功率密度的收费包装，使其更易于使用更有效的产品。增加。这次，我们将介绍C7金和割伤包装。

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来源
《トランジスタ技術》 |2016年第623期|共2页
作者
寺前裕司;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类半导体三极管（晶体管）;
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