Hot electrons in silicon oxide

Gritsenko V. A.

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Hot electrons in silicon oxide

机译：氧化硅中的热电子

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One particular use of amorphous silicon oxide (SiO2), a material crucial for silicon device technology and design, is as a flash memory tunnel dielectric. The breakdown field of SiO2 exceeds 10(7) V cm(-1). Strong electric fields in SiO2 give rise to phenomena that do not occur in crystalline semiconductors. In relatively low electric fields (10(4)-10(6) V cm(-1)) the electron distribution function is determined by the scattering of electrons by longitudinal optical phonons. In high fields (in excess of 10(6) V cm(-1)) the distribution function is determined by electron-acoustic phonon scattering.

机译：一种特殊使用非晶氧化硅（SiO 2），硅装置技术和设计至关重要，是闪存隧道电介质。 SiO2的击穿场超过10（7）V cm（-1）。 SiO2中的强电场产生了在晶体半导体中不会发生的现象。在相对低的电场（10（4）-10（6）Vcm（-1））中，电子分布函数由纵向光学声子的散射确定。在高场（超过10（6）vcm（-1））中，通过电子 - 声学声子散射确定分布函数。

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来源
《Physics - Uspekhi》 |2017年第9期|共9页
作者
Gritsenko V. A.;
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作者单位

Russian Acad Sci Rzhanov Inst Semicond Phys Siberian Branch Prosp Lavrenteva 13 Novosibirsk 630090 Russia;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类物理学;
关键词
silicon oxide; hot electrons; scattering; optical phonons;

机译：氧化硅;热电子;散射;光学声子;

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