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【24h】

正弦波周波数変調による半導体レーザの周波数安定化と変位計測への応用

机译：正弦频率调制频率稳定半导体激光器及其应用于位移测量

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半導体製造装置，工作機械などでは，加工物の大型化と加工の微細化の要求が同時に進hでいる。特に半導体製造ではシリコンウェハの大型化（～450mm）と加工の微細化（～数nm）が同時に進行している。このような要求を満たすには，加工物を搭載するステージの駆動範囲Lをメートル級に拡大しつつ，その位置決め分解能ΔLをサブナノメートルに保たねばならない。すなわち，ΔL/Lを10~(-9) 以下にせねばならない。このような装置の位置決めセンサとして，産業用変位計測干渉計が，光源の波長がメートル定義に準拠している，測定分解能もサブnmである，という理由で広く産業界に用いられている。しかしながら，これらの光源としてHeNeレーザが依然として使われている。そのHeNeレーザの相対周波数安定性Δf/f_0（Δfは周波数安定性でf_0は中心周波数）は，10~(-8)～10~(-9)オーダであり，1メートルの測定範囲をサブナノメートル分解能（すなわちΔL/Lを10~(-9)以下）で，測定するには安定性が不足する。またHeNeレーザは放電管であ。，寿命が短いという欠点がある。これに対し半導体レーザ（Laser Diode：LD）は，（1）HeNeレーザに比べコンパクト，（2）高効率で発光可能，（3）使い方さえ誤らなければ寿命を長くすることができ，（4）またその注入電流オフセット成分を変更すればその中心周波数を調整可能，などの特徴がある。
机译：在半导体制造装置中，机床等，对工件的扩大和加工的需要同时进行。特别地，在半导体制造中，硅晶片（-450mm）的放大和处理小型化（〜nm）同时进行。为了满足这样的请求，定位分辨率ΔL必须保持在亚腔轮中，同时扩展安装工件的阶段的驱动范围L被扩展到仪表水平。也就是说，ΔL/ L必须为10至（-9）或更低。作为这种装置的定位传感器，工业位移测量干涉仪广泛用于行业，因为测量分辨率也是光源的波长是仪表定义的子核。但是，亨利斯仍然用作这些光源。 HENE激光ΔF/ F_0（ΔF是频率稳定性，F_0中心频率）的相对频率稳定性ΔF/ f_0是10至（-8）至10至（-9）的顺序，并且1米的测量范围是亚晶仪。分辨率（即，ΔL/ L为10至（-9）或更小），并且稳定性不足以测量。 HENE激光器是排出管。 ，存在缺点，即生命是短暂的。另一方面，半导体激光器（LD）紧凑，（1）肝激光，（2）高效率可以高效率发出，（3）如果它是错误的错误，则可以延长寿命（4）喷射电流偏移分量改变，其中心频率可调，并且存在诸如。

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