0.15μm GaN HEMT を用いた効率 60%,出力 30W X 帯電力増幅器と効率 33%,出力 100W Ku 帯電力増幅器

著录项

• 来源
  《電子情報通信学会技術研究報告. マイクロ波. Microwaves》 |2016年第219期|共5页
• 作者

  鳥居拓真; 今井翔平; 前原宏昭; 國井徹郎; 森本卓男; 湯之上則弘; 宮下美代; 宮崎泰典; 津山祥紀; 山中宏治; 福本宏;

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• 作者单位

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所;

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所;

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所;

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作;

  三菱電機株式会社 通信機製作所;

  三菱電機株式会社通信機製作所;

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所;

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所;

  三菱電機株式会社通信機製作所;

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所;

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所;

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 jpn
• 中图分类 微波电子管;
• 关键词

  電力増幅器; GaN HEMT; Ku 帯; X帯; 二倍波処理回路;

  机译：功率放大器;GaN Hemt;Ku带;X波段;双波处理电路;