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X線CTR散乱法による薄膜界面構造の直接的構造決定

机译：X射线CTR散射法直接结构测定薄膜界面结构

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X線CTR散乱（X－ray CryStal truncation rod scattering）はその名のとおり，結晶の電子密度が表面で裁断されることで生じるロッド状の散乱である．裁断された結晶の電子密度は結晶周期関数と表面に垂直なステップ関数の積で表され，X線散乱は各成分のFourier変換の畳み込みとして与えられる．すなわちデルタ関数（Braggピーク）と減衰関数1／Qz（zは表面に垂直な方向）の畳み込みとなり，図1のような表面に垂直なロッド状の散乱分布になる．CTR散乱は表面構造に敏感であり，構造解析によっ
机译：X射线CTR散射（X射线晶截面散射）是一种类似的杆状散射，由晶体的电子密度切割在表面上。 切割晶体的电子密度由垂直于晶体周期函数和表面的阶梯函数的乘积表示，并且X射线散射作为每个组分的傅立叶变换的卷积。 也就是说，Δ函数（布拉格峰）和衰减函数1 / Qz（z垂直于表面），导致垂直于表面的杆状散射分布，如图2所示。 CTR散射对表面结构和结构分析敏感

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