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首页> 外文期刊>Current applied physics: the official journal of the Korean Physical Society >Optimization and improvement of TIPS-pentacene transistors (OTFT) with UV-ozone and chemical treatments using an all-step solution process
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Optimization and improvement of TIPS-pentacene transistors (OTFT) with UV-ozone and chemical treatments using an all-step solution process

机译：使用全过程解决方案的UV-臭氧和化学处理技术优化和改进TIPS-并五苯晶体管（OTFT）

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We fabricated an organic thin-film transistor (OTFT) using an all-step solution process. The printed layers, in which the electrode (silver), dielectric layer (BaTiO3-PMMA), source-drain layer, and semiconductor 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene(TIPS-pentacene), were optimized using roll-to-roll, an inkjet printer, and drop-casting. After coating the source-drain layer, we applied ultraviolet (UV)-ozone and self-assembled monolayer (SAM) treatments to the composite layer. The OTFTs treated with the UV-ozone and SAM treatments were found to exhibit excellent performance and good properties in comparison to silicon-based OTFTs. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：我们使用全步解决方案工艺制造了有机薄膜晶体管（OTFT）。使用辊对辊对其中的电极（银），介电层（BaTiO3-PMMA），源极-漏极层和半导体6,13-​​双（三异丙基甲硅烷基乙炔基）并五苯（TIPS-并五苯）进行了优化的印刷层，喷墨打印机和压铸。涂覆源漏层后，我们对复合层进行了紫外线（臭氧）和自组装单层（SAM）处理。与基于硅的OTFT相比，经UV-臭氧和SAM处理的OTFT具有出色的性能和良好的性能。 （C）2015 Elsevier B.V.保留所有权利。

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