Методом магнетронного распыления получены а-С- и а-C:Ni-пленки на подложках из монокристалличе-ского кремния и термоэлектрического материала n-типа ((Bi_2Te_3)_(0.94)(Bi_2Se_3)_(0.06)) и р-типа ((Bi_2Te_3)_(0.20)(Sb2Tе3)_(0.80)) проводимости. Изучено влияние концентрации Ni на удельное электрическое сопротивление, твердость и адгезию полученных пленок. Показано, что удельное сопротивление а-С-пленок, наносимых распылением графитовой мишени при подаче высоковольтного напряжения смещения на подложку, может быть снижено за счет увеличения доли графитизированного углерода. Добавление Ni в такие пленки позволяет дополнительно снизить их удельное сопротивление. С увеличением содержания Ni происходит снижение твердости и адгезии a-C:Ni-пленок. Полученные значения удельного электрического сопротивления и адгезии а-C:Ni-пленок к термоэлектрическим материалам позволяют использовать их в качестве барьерных антидиффузионных покрытий термоэлектрических модулей.
展开▼
