И учаются структурные свойства гетеросистем SiGe/Si со ступенчатой вицинальной границей разде-ла (ГР), полученной отклонением поверхности от плоскости (001) на несколько градусов поворотомвокруг оси 1110. Исследуются бездислокационные системы и системы, содержащие дислокации не-соответствия (ДН). Для бездислокационных гетеросистем предлагается модель псевдодиcлокаций,описывающая взаимный разворот кристаллографических плоскостей (001) пленки и подложки.Iсевдодислокацвями являются упруго напряженные ступени ГР, величина их эффективного вектораБюргерса определяется высотой ступени и параметром несоответствия сопрягаемых решеток. длядислокацтюнных систем рассматриваются дальнодействующие поля нормальных и сдвиговых напря-жений в эпитаксиальной пленке. Обсуждается неоднозначность величины вектора Бюргерса ДН.прелложен механизм формирования малоугловой границы при введении ДН в вицинальную ГР По-лучено выражение, которое позво ляет на основе структурных параметров, определяемых с помощьюкривой дифракционного отражения рентгеновских лучей, вычислять доли ДН, скользящих в плоско-стях { 1 1 1 }, наклоненных к ГР под максимальными минимальным углами.
展开▼
