...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Кристаллография >СТРУКТУРНАЯ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ПОРИСТЫХ СЛОЕВ InP(001) МЕТОДОМ ТРЕХКРИСТАЛЬНОЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ
【24h】

СТРУКТУРНАЯ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ПОРИСТЫХ СЛОЕВ InP(001) МЕТОДОМ ТРЕХКРИСТАЛЬНОЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ

机译：结构表征的多孔层的InP（001）的方法三晶X射线衍射法

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Методом трехкристалыюй рентгеновской дифрактометрии изучено строение пористых слоев, полученных на поверхности полупроводниковой пластины 1пР ориентации (001) в результате электрохимического травления в режиме анодирования. Показано, что в зависимости от потенциала зонда (плотности тока) образуются колоннообразные поры двух типов с различным характером ориентации относительно подложки. Установлено, что при потенциале зонда ~6 В норы вытянуты вдоль линии тока (ТО-поры) и направлены по нормали к поверхности образца. При уменьшении потенциала до ~3 В поры ориентируются своей продольной осью под угломξ= 52 + 2° к поверхности образца (КО-поры). Определены средний диаметр пор (~80 нм), их средняя длина (300-900 им) и оценена величина пористости в образцах (Р ~ 40-60%). Полученные данные о параметрах пор находятся в удовлетворительном согласии с результатами сканирующей электронной микроскопии.
机译：三晶X射线衍射法的方法研究了在阳化模式中的电化学蚀刻的导致半导体板1pr取向（001）的多孔层的结构。结果表明，根据探针（电流密度）的电位，相对于基板的不同取向性质形成两种类型的柱状孔。已经确定，在沿着电流线（SU孔）拉伸的孔中的探针〜6的电位，并且沿着正常的孔引导到样品的表面上。当电位在孔隙中减少到〜3时，它们以纵向轴线以角度ξ= 52 + 2°定向到样品表面（共孔）。孔的平均直径（〜80nm），测定它们的平均长度（300-900），并估计样品中孔隙率的大小（p〜40-60％）。与扫描电子显微镜的结果令人满意的孔隙参数的所得数据。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号