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首页> 外文期刊>立命館大学理工学研究所紀要 >窒化石英ガラス基板上多結晶GdNの結晶成長と発光特性
【24h】

窒化石英ガラス基板上多結晶GdNの結晶成長と発光特性

机译：氮化氮化物石英玻璃基板上多晶GDN的晶体生长和发光特性

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GaN系半導体は、可視から紫外領域の発光デバイスとして応用が期待され、現在では青·緑色，白色LED（light emitting diode）、青紫色LD（laser diode）が商品化されている。 これらのデバイスにおいては、GdN薄膜成長用の基板として、サファイア基板やSiC基板が用いられている。 一方で、アモルファスである石英ガラス基板上に成長した多結晶GaNから強い発光が得られること【1，2】や、石英ガラス基板上に、多結晶GaN、InGaNから成る多重量子井戸構造を用いたLEDの作製【3】が報告されている。また、近年ではガラス基板上に成長した多結晶GaNによるELデバイス【4】も報告されている。このように、石英ガラス基板上多結晶GaNは、発光デバイスとしての応用が検討され、大面積で低価格の発光デバイス用材料としての可能性が期待されている。 一方で、多結晶であるが故に、その結晶構造は乱雑であり、これが多結晶GaNを用いたLEDの発光効率を低下させる原因となっている【3】。 このように多結晶GaNをデバイスへ応用するためには、その結晶性や表面平坦性の改善が必要であると考えられる。 そこで、本研究では、石英ガラス基板上に成長した多結晶GaNの結晶性の改善を目的とし、窒化を行った石英ガラス基楼上へのGaN成長について検討を行った。
机译：预计GaN基半导体将作为来自紫外区域可见的发光器件应用，并且目前由蓝色，绿色，白色LED（发光二极管）和蓝紫色LD（激光二极管）商业化。在这些装置中，蓝宝石衬底和SiC基材用作用于GDN薄膜生长的基板。另一方面，从石英玻璃基板上生长的多晶GaN获得强烈的发光，其是无定形的[1,2]，并使用由多晶GaN组成的多量子阱结构，使用在石英玻璃基板上制备已报告LED [3]。此外，近年来，还报道了在玻璃基板上生长的多晶GaN的EL器件[4]。如上所述，石英玻璃基板上的上行链路GaN预期是一个大面积和大面积的发光器件材料。另一方面，尽管它是多晶，但晶体结构是随机的，这导致使用多晶GaN的LED的发光效率。[3]。为了以这种方式将多晶Ga施加到装置上，认为需要改善结晶度和表面平坦度。因此，在这项研究中，为了改善在石英玻璃基板上生长的多晶GaN的结晶度，我们检查了石英玻璃基塔上的GaN生长。

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