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首页> 外文期刊>静電気学会講演論文集 >造核剤添加高分子量ポリプロピレン·フィルムの熱刺激電流スペクトル－初期表面電位依存性
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造核剤添加高分子量ポリプロピレン·フィルムの熱刺激電流スペクトル－初期表面電位依存性

机译：热刺激的核成核剂的电流谱加入高分子量聚丙烯薄膜 - 初始表面电位依赖性

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エレクトレット電荷の熱安定性を支配する最大の因子は電荷トラップのエネルギー深さである．また，結晶性高分子の結晶欠陥の一部は深い電荷トラップとして機能することが知られている．したがって，熱的に安定なエレクトレットを作るためには，結晶欠陥を適切に導入することである．一例をあげれば，ポリプロピレンに無極性造核剤を添加してその高次構造を変化させることにより，相対湿度60％温度60°Cの環境で3時間保管したあとのエレクトレット電荷の残存量が，50％から80％に安定化できた．しかし，エレクトレットの電荷安定性はエレクトレットの初期電荷量に依存する．このため，初期電荷量依存性を考慮して電荷安定性を評価しなければならない．すなわち，深い電荷トラップは浅い電荷トラップと比べて，一般的に捕獲断面積は大きいが数が少ないため，初期電荷量が少ないときは深い電荷トラップに捕獲されている電荷量が相対的に多くなり，高い電荷安定性を示す．さらに，有用なエレクトレットはその電荷安定性だけではなく，エレクトレットを利用する上で重要なエレクトレットの“強さ”，すなわち，電荷量も重要な因子となる．したがって，優れたエレクトレット材料を探索するためには，電荷トラップの深さだけでなくその数を知ることが重要となる．そこで，本研究では，深い電荷トラップ数を知るために，試料フィルムの初期電荷量を種々変えたエレクトレットを作成しそれらのTSCスペクトルを調べた．
机译：控制驻极体电荷的热稳定性的最大因素是电荷阱的能量深度。而且，已知结晶聚合物的一部分晶体缺陷用作深电荷阱。因此，为了使耐热稳定的驻极体，晶体缺陷被适当地介绍。例如，通过向聚丙烯添加非极性成核剂，储存60％温度60％温度60℃的相对湿度3小时后的剩余量，储存后储存后的剩余电荷量。它从50稳定稳定％〜80％。然而，驻极体的电荷稳定性取决于驻极体的初始电荷量。因此，必须考虑到初始充电依赖性来评估电荷稳定性。也就是说，由于深电荷陷阱通常具有大量捕获横截面积，因此初始电荷陷阱的数量通常很大，因此在深电荷阱中捕获的电荷量相对较大。，电荷稳定性高。另外，有用的电器不仅是它们的电荷稳定性，而且是重要的驻极体“强度”，即电荷量，这也是利用Electrs的重要因素。因此，为了寻找卓越的驻极材料，不仅要知道电荷陷阱的数量，还可以是数字。因此，在本研究中，为了了解深度电荷陷阱的数量，我们创造了具有各种改性的样品膜的驻极体，并检查了那些TSC光谱。

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