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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials >古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討－Fin型MOSFETでの欠陥生成機構
【24h】

古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討－Fin型MOSFETでの欠陥生成機構

机译：翅片型MOSFET中经典分子动力学计算缺陷形成机制的物理血浆损伤形成机制

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古典的分子動力学（MD）シミュレーションを用いて，Fin構造を有するFin型MOSFETにおけるプラズマ誘起イオン衝撃ダメージについて詳細に検討した．Fin型MOSFETにおいては，従来のPlanar型MOSFET で見られるようなSi基板へのダメージ形成機構（Siリセス）とは異なり，入射イオンの基板内での散乱機構（Straggling）が重要な役割を担うことがわかった．この統計的なダメージ形成過程は，いわゆるRange Theoryをもとにモデル化でき，散乱機構（Straggling）によるダメージ層厚さはイオン種及びイオン入射エネルギーにより決定されることがMDシミュレーションからも確認できた．本報告では，Fin構造形成プロセスにおけるダメージを中心に，MDシミュレーションによるプラズマダメージ解析について議論する．
机译：用翅片结构的鳍MOSFET中的等离子体引起的离子冲击损伤详细使用了经典分子动力学（MD）模拟。 在翅片MOSFET中，与传统平面MOSFET中看到的SI衬底的损坏形成机制（SI凹槽）不同，入射离子衬底中的散射机构（锻造）发挥着重要作用。 该统计损坏形成过程可以基于所谓的范围理论来建模，并且通过散射机构（踩踏）的损坏层厚度从MD模拟确定，损坏层的厚度通过离子物种和离子入射能确定。。 在本报告中，我们讨论MD模拟血浆损伤分析，专注于翅片结构形成过程中的损坏。

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