...
首页> 外文期刊>クリ-ンテクノロジ-: クリ-ン化技術の専門誌 >300mm対応レーザーダイサー:高集積度デバイスのダイシング技術動向
【24h】

300mm対応レーザーダイサー:高集積度デバイスのダイシング技術動向

机译:300mm兼容激光器:切割高累积装置装置的技术趋势

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

ウエーハダイシソグ技術の草生期は、ダイヤモンドポイントスクライブ、エッチング等と並hでレーザー切断も採用されていた。その後、ダイヤモンドブレードによるダイシソグ技術が確立することにより、その他の加工手法は徐々に姿を消し、ダイシソグ=ブレード切断が主流となり現在に至っている。 しかし、近年の半導体技術の進展により、従来とは異なる技術的要求が現れている。 代表例が低誘電率膜(Low-k膜)採用のロジック系デバイスである。機械的強度が極めて弱く、従来のブレードダイシングでは、切断時に剥離してしまう。 また100μm以下の薄膜半導体を使用するスタックドパッケージでも、レーザーの応用は期待されている。しかし、これは後述する理由で優先度は低いと考える。 本編ではLow-k膜トリミング&ダイシソグに関して解説する。
机译:在晶圆乳糖技术的草本期间,还采用了菱形点划线,蚀刻等的激光切割等。此后,通过用金刚石刀片建立DicoSog技术,其他加工方法逐渐消失,并且Dicy Sog =刀片切割是主流的,已达到现在。然而,近年来半导体技术的进展具有与传统常规的技术需求不同。代表性示例是用于采用低介电常数膜(低k膜)的逻辑装置。机械强度极弱,并且在传统的刀片切割中,在切割时剥离。同样在使用100μm或更小的薄膜半导体的堆叠封装中,预期激光的应用。然而,由于后面描述的原因,这被认为是低的。在主要故事中,我们将解释低K薄膜修剪和Dicosog。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号