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【24h】

半導体製造のクリーン化技術-プラズマエッチング装置のパーティクル低減:エッチング装置におけるパーティクルのモニタリングと発塵の抑制

机译:半导体制造清洁技术 - 等离子体蚀刻装置粒子减少:抑制蚀刻设备中的颗粒监测和粉尘

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摘要

半導体デバイスの歩留まり低下には多くの要因があるが、集積度が上がるにつれてパーティクルの占める割合が大きくなっている。 特にプラズマエッチングで発生するパーティクルが最も多く、歩留まりを低下させる主要因と考えられる。 プラズマエッチング装置で発生するパーティクルの原因は、チャンバ内に堆積した膜やパーティクルの剥離すなわち再飛散であることが多い。 プラズマプロセス中の特定のタイミングでパーティクルが発生しているということや、ウェーハを搬入出するときの圧力差をできるだけ小さくすることによってパーティクルが低減されることなどが経験的に知られているものの、パーティクル飛散のメカニズムについては詳細な研究がなされていない。
机译:虽然半导体器件的较低水平存在许多因素,但随着集成度的颗粒的百分比上升。 特别地,在等离子体蚀刻中产生的颗粒是最显着的,并且被认为是降低产量的主要因素。 由等离子体蚀刻装置产生的颗粒的原因通常是剥离或再散射膜和沉积在腔室中的颗粒。 尽管经验已知通过在等离子体工艺期间在特定时序发生颗粒来降低颗粒,并且可以尽可能地减少加载晶片时的压力差,但对颗粒散射的机制没有进行详细的研究。

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