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Single longitudinal mode GaAs-based quantum dot laser with refractive index perturbation

机译:基于单纵向模式的基于GaAs的量子点激光,具有折射率扰动

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摘要

We report on the design, fabrication, and characterization of single longitudinal mode InAs/GaAs quantum dot lasers emitting at the 1.3 mu m communication band. The influence of simply etched surface high-order gratings in the ridge of the Fabry-Perot lasers has been studied. A 35th-order surface grating is fabricated by standard photolithography to introduce the refractive index perturbation, which leads to the reduced mirror loss at the desired wavelength and thus realizing single longitudinal mode lasing. Stable single-mode operations are maintained at the injection current range of 45-100mA with a side-mode suppression ratio up to 33 dB. (C) 2020 Optical Society of America
机译:我们报告了在1.3μm通信带发射的单纵模INAS / GAAS量子点激光器的设计,制造和表征。 研究了在法布里 - 珀罗激光器的脊中简单蚀刻的表面高阶光栅的影响。 通过标准光刻法制造了35阶表面光栅,以引入折射率扰动,这导致所需波长处的减小的镜面损耗,从而实现单个纵向模式激光。 稳定的单模操作在45-100mA的喷射电流范围内保持,侧面抑制比高达33 dB。 (c)2020美国光学学会

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  • 来源
    《Applied optics》 |2020年第6期|共6页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用;
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