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A 28 GHz GaAs front-end IC with single positive supply voltage

机译：具有单个正电源电压的28 GHz GaAs前端IC

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This paper presents 28 GHz GaAs front-end IC for 5G beamforming systems with single positive supply voltage. A 28 GHz front-end IC consists of a 3-stage power amplifier, a 3-stage low noise amplifier and two reflective type single pole double throw switches in 0.15 mu m enhancement-mode (E-mode) GaAs pHEMT technology. The proposed 28 GHz front-end IC is controlled only with single positive supply voltage. The measured front-end IC Tx mode gain and Rx mode gain are 16.3 dB and 16.8 dB at 28 GHz, respectively. The achieved output P-1dB and saturation power (P-SAT) in Tx mode are 18 dBm and 21 dBm, respectively. The achieved input P-1dB and noise figure in Rx mode are -8 dBm and 3 dB, respectively. The 28 GHz GaAs front-end IC consumes DC current of 216 mA in Tx mode at 4 V supply voltage and 20 mA in Rx mode at 2.5 V supply voltage. The proposed 28 GHz front-end IC chip size is 2.5 x 2.2 mm(2).
机译：本文介绍了一种用于5G波束形成系统的28GHz砷化镓前端集成电路。28GHz前端集成电路由一个三级功率放大器、一个三级低噪声放大器和两个采用0.15μm增强模式（E模式）GaAs pHEMT技术的反射型单极双掷开关组成。建议的28GHz前端IC仅由单一正电源电压控制。在28GHz下测得的前端IC Tx模式增益和Rx模式增益分别为16.3 dB和16.8 dB。在Tx模式下实现的输出P-1dB和饱和功率（P-SAT）分别为18 dBm和21 dBm。在Rx模式下实现的输入P-1dB和噪声系数分别为-8 dBm和3 dB。28GHz砷化镓前端IC在4V电源电压下的Tx模式下消耗216mA的直流电流，在2.5V电源电压下的Rx模式下消耗20mA的直流电流。建议的28GHz前端IC芯片尺寸为2.5x2.2mm（2）。

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