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机译:在环境条件下表征相对不稳定的嵌入化合物的新方法:重新发现高岭石 - 丙酮嵌入化合物
Tokyo Univ Sci Fac Adv Engn Dept Mat Sci &
Technol Katsushika Ku 6-3-1 Niijuku Tokyo 1258585 Japan;
Waseda Univ Global Ctr Sci &
Engn Shinjuku Ku 3-4-1 Okubo Tokyo 1698555 Japan;
Waseda Univ Kagami Mem Inst Mat Sci &
Technol Shinjuku Ku 2-8-26 Nishiwaseda Tokyo 1690051 Japan;
机译:重新研究从Stage〜(-1)到Stage〜(-2)的脱层工艺
机译:新见解进入不稳定的石墨嵌入化合物的起源
机译:Ag3Ni2O4-一种新的2H-AgNiO2的第二阶段插层化合物和高于环境温度的2H-AgNiO2的物理性质
机译:C_2H_5COOH-石墨嵌入化合物的制备与表征
机译:含氟阴离子的石墨插层化合物的合成,表征和结构建模。
机译:取向硫酸铵的结晶六边形氮化物/硫酸嵌入化合物
机译:再谈一级石墨插层化合物的拉曼响应
机译:新型氮化硼插层化合物和ag(III)氟复合物的制备与表征