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Porosity depth profiling of thin porous silicon layers by use of variable-angle spectroscopic ellipsometry: a porosity graded-layer

机译：可变角度光谱椭偏仪用于薄多孔硅层的孔隙深度剖析：孔隙度梯度层

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Variable-angle spectroscopic ellipsometry was used to determine nondestructively the porosity depth profile and thickness of thin porous silicon layers produced by anodization of p(+)-doped silicon wafers. A porosity graded-layer model is presented and used in the analysis of the material. In the porosity graded-layer model an inhomogeneous layer is built up by several thin sublayers with the porosity changing slightly from one sublayer to the next. Results from the ellipsometry analysis and from transmission electron microscopy reveal inhomogeneous layers whose porosity and thereby optical properties change with their depth in the layers. (C) 1998 Optical Society of America. [References: 28]
机译：可变角度光谱椭圆仪用于无损确定通过掺杂p（+）的硅片的阳极氧化作用而产生的多孔硅薄层的孔隙深度分布和厚度。提出了孔隙度梯度层模型并将其用于材料分析。在孔隙度渐变层模型中，不均匀的层由几个薄的子层组成，孔隙度从一个子层到下一个子层略有变化。椭偏分析和透射电子显微镜的结果显示出不均匀的层，其孔隙率和光学性质随层中深度的变化而变化。 （C）1998年美国眼镜学会。 [参考：28]

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