首页> 外文期刊>Вестник Московского университета, Сер. 3. Физика, астрономия: Науч. журн. >Влияние плотности дефектов интерфейса на поле обменного смещения в бислойной системе ферромагнетик/антиферромагнетик
【24h】

Влияние плотности дефектов интерфейса на поле обменного смещения в бислойной системе ферромагнетик/антиферромагнетик

机译:Влияние плотности дефектов интерфейса на поле обменного смещения в бислойной системе ферромагнетик/антиферромагнетик

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Методом компьютерного моделирования исследовано влияние дефектов интерфейса на величину поля обменного смещения в бислойной системе ферромагнетик/антиферромагнетик.Изучен случай тонкой ферромагнитной пленки на толстой антиферромагнитной подложке.Исследование проведено в рамках модели Изинга.Использован алгоритм Метрополиса.Дефекты поверхности подложки моделируются как случайные точечные немагнитные примеси.Поле обменного подмагничивания определяется по смещению петли гистерезиса.Получена зависимость поля обменного подмагничивания от концентрации дефектов на поверхности подложки при различных температурах.

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号