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MEMS技術を用いたマイクロニードルの作製

机译:MEMS技術を用いたマイクロニードルの作製

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摘要

半導体技術の発展とともに,それに付随する結晶異方性エッチング,犠牲層エッチング,陽極接合などの微細加工技術などが1960年代に登場し,1970年代にはそれらを用いた半導体圧力センサ,ISFET(Ion Sensitive Field Effect Transistor),そして70年代後半にガスクロマトグラフィー,集積化圧力センサなどのシステムが開発されるようになった.1980年代後半になると,Si基板上で静電マイクロモータなどのアクチュエータが実現し,この頃から微小領域での機械.電気デバイスのシステム化を示すMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)という言葉が使われるようになった.このような技術的潮流から,MEMSデバイスに関する加工は,半導体製造技術が軸となっており,(1)ホトリソグラフィーによるパターニング加工(加工形状入力),(2)物理的·化学的な手法による堆積加工,(3)エッチングによる除去加工が主要な加工技術になっている.特に半導体デバイスと異なり,立体的な構造が必要となるMEMSデバイスでは,ホトリソグラフィーで入力した二次元パターン形状を基に,形状の三次元化を図るエッチング除去加工が重要となる.

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