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先端半導体CMOSデバイス製造における空調技術の課題と動向

机译:先端半導体CMOSデバイス製造における空調技術の課題と動向

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摘要

現在,量産が開始されている65nm以降の先端半導体CMOSデバイスの微細化はMooreの法則に則り,物理限界を新材料や新構造で克服しながら2020年まで続くとみられている(More Moore)。 さらに,半導体製造プロセスの多様化も進み,微細化とは異なるRF注1)やMEMS注2)などのデバイスも幅広く参入し,半導体プロセスが適用されることが期待されている(More then Moore)。 そのため,今後の半導体デバイス製造クリーンルームの空調技術に要求される分子汚染制御などのクリーン化の課題と期待は今後も大きい。

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