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1~3GHz帯低雑音アンプの設計·製作: 第7回 LNA回路基板の特性評価

机译:1~3GHz帯低雑音アンプの設計·製作: 第7回 LNA回路基板の特性評価

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摘要

受信器の前段にはプリアンプ(前置増幅器)として雑音指数(NF: Noise Figure)の小さい低雑音アンプLNA(Low Noise Amplifier)が使われます.本連載では,低雑音,広帯域,高線形特性を有する高電子移動度トランジスタEpHEMT(Enhancement Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)を使ったLNAを設計·製作します.今回は,スペクトラム·アナライザとベクトル·ネットワーク·アナライザ(VNA: Vector Network Analyzer)を用いて,製作したLNA回路基板の特性(ゲイン,NF,Sパラメータ)を評価します.

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