Threshold simulation of 1.3-mu m oxide-confied in-plane quantum-dot (InGa) As/GaAs lasers

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• 来源
  《Optical and Quantum Electronics》 |2003年第7期|675-692|共18页
• 作者

  Sarzala RP.; Wasiak M.; Czyszanowski T.Bugajski M.Nakwaski W.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 英语
• 中图分类 光学;
• 关键词

  1; 3-mu m fibre communication; 3-mu m in-plane lasers; Quantum-dot lasers; Threshold laser; Simulation; Temperature-dependence; Spontaneous emission; Diffusion; Gain;