...
首页> 外文期刊>Украинский химический журнал: Ежемес. науч. журн. >ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ CdSe-ЭЛЕКТРОДА, МОДИФИЦИРОВАННОГО НАНОРАЗМЕРНЫМИ ЧАСТИЦАМИ CdS И SnO_2
【24h】

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ CdSe-ЭЛЕКТРОДА, МОДИФИЦИРОВАННОГО НАНОРАЗМЕРНЫМИ ЧАСТИЦАМИ CdS И SnO_2

机译:ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ CdSe-ЭЛЕКТРОДА, МОДИФИЦИРОВАННОГО НАНОРАЗМЕРНЫМИ ЧАСТИЦАМИ CdS И SnO_2

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Исследованы спектры фотоэлектрохямического тока и дифференциальная емкость поликристаллического CdSe-электрода, модифицированного наноразмерными частицами CdS и SnO_2. Показано, что уменьшение фототока в коротковолновой области спектра связано с катодной реакцией фотовыделения водорода, в которой принимают участие поверхностные электронные состояния, а также с рекомбинацией носителей заряда. Наблюдаемое увеличение фототока после осаждения наночастиц CdS объясняется уменьшением влияния этих факторов на фотоэлектрохимический процесс.

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号