Методом рентген?вського фазового та рентгеноструктурного анал?з?в досл?джено в?дпален? при 800 °С сплави системи Gd—Si—-Ga. Встановлено ?снування двох потр?йних сполук GdSi_(0.94-0.6)Gа_(1.06.-1.4) (структура типу α-ThSi_2) ? GdSi_(0.9-0.6)Ga_(0.1-0.4) (СгВ), а також протяжних твердих розчин?в на основ? б?льшост? подв?йних сил?цид?в ? гал?д?в гадол?н?ю. В повному концентрац?йному ?нтервал? побудовано ?зотерм?чний перер?з д?аграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °С.
展开▼
