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【24h】

オン抵抗を9mΩに低減した150 V耐圧パワーMOSFET TPH9ROOCQH

机译：オン抵抗を9mΩに低減した150 V耐圧パワーMOSFET TPH9ROOCQH

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東芝デバイス&ストレージは，オン抵抗が最大9.0mΩ(V_(GS)＝10V)と．従来品から42%低い150V耐圧のパワーMOSFETを発売した．ゲート·スイッチ電荷量は11.7nCで，出力電荷量は87nC．最大定格値は，チャネル温度が175℃でドレイン電流は64A．オン抵抗と電荷容量値の低減により．スイッチング時のスパイク電圧と損失を低減する．パッケージは5.0×6.0mmのSOP Advanceまたは4.9×6.1mmのSOP Advance（N）．SPICEモデルは，GOモデルに加え過渡特性の精度を高めたG2モデルも提供する．

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