シリコンウエハにおけるステルスダイシング(SD)技術と実用化

渥美一弘; Kazuhiro ATSUMI

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シリコンウエハにおけるステルスダイシング(SD)技術と実用化

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半導体デバイスの生産工程において，半導体ウエハから半導体デバイスを個片化するダイシング工程では，長らくブレードソーと呼ばれる円盤状砥石を回転しながら半導体ウエハを切断するブレードダイシング(BD)が用いられてきた．しかしBDによるウエハの切断では，ブレードソーを用いるため，半導体デバイスの破損や特性劣化など品質や歩留まりの低下が発生する可能性を有する．前述した問題点を解決する手段としてレーザを用いたダイシング法が注目を浴び，最近多くのレーザダイシング装置が実用化されている．今回紹介するステルスダイシング(SD)もレーザダイシングのひとつであり，ウエハ表面に加工痕が見えない内部加工であることから，ステルスダイシングと名づけられた．SDはウエハ内部を加工するため，ウエハの欠けやダストの発生がなく，水を使用しないドライプロセスという他のレーザダイシング法にない特徴を有し，シリコンウエハのダイシングにおいて3年前から実用化が始まっている．ここではSDの特徴と原理およびシリコンウエハにおける実用化について解説する．

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来源
《日本機械学会誌》 |2007年第11期|14-16|共3页
作者
渥美一弘; Kazuhiro ATSUMI;
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作者单位

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收录信息
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正文语种日语
中图分类 TH-53;
关键词

シリコンウエハにおけるステルスダイシング(SD)技術と実用化

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