ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN

Е.Р. БУРМИСТРОВ; Л.П. АВАКЯНЦ; М.М. АФАНАСОВА

首页> 外文期刊>Физика >ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN

【24h】

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN

机译：ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相关主题

摘要

Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью которой можно оценить кинетические параметры двумерного электронного газа в изучаемой структуре. Результаты проведенного расчета матричных потенциалов рассеяния продемонстрировали достоверность и состоятельность на используемой модели промышленных светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN. Показано, что механические напряжения в слоях InGaN/GaN приводят к неравномерному распределению суммарного электрического поля вдоль активного слоя. Установлено, что время релаксации, ограничивающее подвижность двумерного электронного газа при пьезоэлектрическом рассеянии, ~ 10~(-9) с.

著录项

来源
《Физика》 |2021年第5期|9-19|共11页
作者
Е.Р. БУРМИСТРОВ; Л.П. АВАКЯНЦ; М.М. АФАНАСОВА;
展开▼
作者单位

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия;

Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, г. Рязань, Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种俄语
中图分类物理学;
关键词
квантовая яма; механические напряжения; гетероструктура; транспортное время; двумерный электронный газ; рассеяние;

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN

摘要

著录项

相关主题

期刊订阅