エッチング技術の基礎

下川房男

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エッチング技術の基礎

机译：エッチング技術の基礎

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エッチング技術は，半導体製造プロセスの歴史から眺めると，古くはウエットエッチングから開始されたが，パターン寸法の微細化高精度化の要求に伴い，ドライエッチングがその中心的な役割を果たしてきた．一方，MEMSの分野では，必要となる寸法が数百μmにも及ぶことから，ウエットエッチングが重要な役割を果たしているが，この分野でもミクロンオーダの寸法精度が必要となる領域では，ドライエッチングが必須なことは言うまでもない．また，従来ウエットエッチングの加工領域であった数百μm以上の三次元加工やSiの基板貫通構造が，高密度プラズマを用いたドライエッチングにより，比較的容易に実現されるようになってきており，二つのエッチング技術は，今後もより密接な関わりをもって進展していくものと思われる．本稿では，このようなウエット，あるいはドライエッチングプロセスを行う上で重要となる表面の反応機構について，Siを例に取り上げ基礎的な現象を中心に解説する．

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来源
《精密工学会誌》 |2011年第914期|162-168|共7页
作者
下川房男;
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作者单位

香川大学工学部知能機械システム工学科;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类仪器、仪表;
关键词

エッチング技術の基礎

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