GISAXS法による高分子薄膜の構造測定?解析

小川紘樹

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GISAXS法による高分子薄膜の構造測定?解析

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ナノスケールの構造評価には様々な手法が存在するが、X線を用いた散乱?回折法は代表的な非破壊測定手段の一つである。X線小角散乱法(SAXS)とは、試料に対してX線を入射することで、散乱したX線を二次元検出器で得る手法である。これにより、試料内部の構造情報(ナノスケールのサイズ·形状·構造相関など)を非破壊で得ることができる。SAXS法は透過型である一方で、反射型の小角散乱測定法(GISAXS)は、非破壊で薄膜の内部や界面の深さ方向のナノ構造を調べる方法であり、比較的高エネルギー(E=12.4keV、波長0.1 nm)なX線を薄膜試料の全反射臨界角近傍(0.05°～0.2°程度)で入射し、小角散乱測定を行う手法である1-3)。本報告ではGISAXS法の特徴について簡単に述べ、放射光を使ったGISAXS測定において、高分子薄膜のどのような構造情報が得られるのかを紹介する。

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来源
《繊維学会誌》 |2022年第913期|176-180|共5页
作者
小川紘樹;
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作者单位

京都大学化学研究所〒611-0011 京都府宇治市五ヶ庄;

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GISAXS法による高分子薄膜の構造測定?解析

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