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SiC-MOSFETs statt Silizium -IGBTs für die PFC in EV-Ladestationen

机译:SiC-MOSFETs statt Silizium -IGBTs für die PFC in EV-Ladestationen

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摘要

Durch die anhaltenden weltweiten Bemühungen, die CO_2-Emissionen zu verringern, steigt das Interesse an Elektrofahrzeugen (EV). Infolgedessen steigt auch die Nachfrage nach einer entsprechenden Lade-Infrastruktur. Autofahrer benutzen derzeit Ladestationen zu Hause, im Büro oder an Gesch?ften und Einkaufszentren. Unternehmen mit gro?en Fahrzeugflotten statten ihre Parkpl?tze mit Ladestationen aus, damit ihre Teams immer einsatzbereit sind. Dieser Wandel bei der ?Betankung" scheint offensichtlich - die Auswirkungen sind jedoch enorm. In wenigen Jahren müs- sen Millionen Ladepunkte mit Leistungswerten zwischen 3,6 kW und 22 kW installiert werden, wobei Schnellladestationen sogar Spitzenwerte von 150 kW und mehr erreichen k?nnen. Der daraus resultierende massive Lastanstieg besonders zu Spitzenzeiten stellt die Versorger vor gro?e Herausforderungen. Die installierten Ladel?sungen müssen ihren Beitrag leisten, indem sie neueste Technik nutzen, um h?chstm?gliche Wirkungsgrade und einen m?glichst nah an 1 liegenden Leistungsfaktor (PF; Power Factor) zu erreichen. Leistungsfaktorkorrekturstufen (PFC) sind Standard in elektrischen Ger?ten, seit die Europ?ische Union Grenzwerte für Oberwellenstr?me in den Standards IEC 61000-3-2 und IEC 61000-3-12 festgelegt hat.

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  • 来源
    《Elektronikpraxis》 |2021年第20期|a6-a9|共4页
  • 作者

    MATTHIAS ORTMANN;

  • 作者单位

    Toshiba Electronics Europe;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 德语
  • 中图分类
  • 关键词

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