コラム MOSFETモデルの作成にMOS3パラメータを使った理由

落合忠博

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コラム MOSFETモデルの作成にMOS3パラメータを使った理由

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これまで説明してきたように，MOS3では必ずしも実デバイスの温度特性を十分に表現できないことがわかったと思います．筆者が本連載でMOS3を使ってモデル作成を説明してきた理由ですが，1つはほかのモデル式と比べて，モデル式が比較的簡単であり，使用されているモデル·パラメータ数が少ないためです．そのため「自分でモデルを作ってみよう」とか「これからモデルについて学習しよう」という読者には最適だと考えています．しかし，これまで説明してきたように，実デバイスの特性の再現性という觸点では実用的ではないということをあらかじめ知っておいてください．2つ目のメリットとして，使用されているパラメータ数が少ないためパラメータ·フィッティングの時間が短くなるということです．「いやいや，実デバイスの再現性は低いのでは？」というツッコミがありそうですが，用途を限定すれば十分利用価値があるのです．図Aの例を使って説明しましよう．

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来源
《トランジスタ技術》 |2020年第673期|共1页
作者
落合忠博;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词

コラム MOSFETモデルの作成にMOS3パラメータを使った理由

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