Die zunehmende Verwendung von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) in Halbleiterbauelementen erm?glicht eine stetige Erh?hung der Leistungsdichten in leistungselektronischen Komponenten. Folglich sind h?here Leitungsquerschnitte zur Versorgung dieser Bauelemente notwendig. Für die elektrische Kontaktierung werden h?ufig Runddr?hte und als Kontaktierungsmethode das Drahtbonden gew?hlt. Allerdings st??t diese Fügetechnik bei hohen Leiterquerschnitten an physikalische Grenzen, sodass hier alternative Verbindungselemente und Kontaktie-rungsmethoden wie das Laserstrahlschwei?en, welches am Fraunhofer ILT stetig weiterentwickelt wird, zum Einsatz kommen. Die Verwendung von Flachdr?hten tr?gt diesem Trend Rechnung und erm?glicht gro?e Leiterquerschnitte, die robust und prozesssicher mit einem Laserstrahlschwei?verfahren gefügt werden k?nnen. Der ann?hernd rechteckige Querschnitt erm?glicht zum einen eine Nullspalt-Verbindung sowie einen fl?chigen Kontakt zwischen den beiden zu fügenden Elementen und zum anderen einen konstanten Abstand zwischen der Fokussierlinse und der Drahtoberfl?che. So bleibt der Arbeitsabstand w?hrend des Fügeprozesses unver?ndert. Neben den Komponenten der Leistungselektronik ist auch die Batterietechnik ein wichtiger Markt für diese flexible Verbindungstechnik. Neben der Verschaltung einzelner zylindrischer oder prismatischer Zellen zu Modulen und Packs bieten Flachdr?hte auch gro?es Potenzial bei der Kontaktierung von Sensoren zur Messung von beispielsweise Temperaturen und Spannungen.
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