...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>トランジスタ技術 >第3章 小型/高速/低損失の実力とこれからの課題: 新しいパワーMOSFET…SiCとGaN: 新しいパワーMOSFET…SiCとGaN
【24h】

第3章 小型/高速/低損失の実力とこれからの課題: 新しいパワーMOSFET…SiCとGaN: 新しいパワーMOSFET…SiCとGaN

机译：第3章 小型/高速/低損失の実力とこれからの課題: 新しいパワーMOSFET…SiCとGaN: 新しいパワーMOSFET…SiCとGaN

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相关主题

摘要

シリコン（以下，Si）におけるパワーMOSFETの耐圧を高くするとオン抵抗も大きくなる関係は，Si自身の耐圧の限界に近づき，高耐圧のパワーMOSFETやオン抵抗を低くできなくなってきました．このままパワーMOSFETの特性は限界となり頭打ちかと思われたのですが，さにあらず…パワーMOSFETの新しい形，ワイド·バンドギャップ（wide bandgap）半導体であるSiC（silicon carbide）やGaN（gallium nitride）が登場してきました．

著录项

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号