第1章 GaNをはじめとする超高速パワー半導体を壊さず高効率に使うために: 高速スイッチング性能追及！パワー·アンプ基板の製作: 高速スイッチング性能追及！パワー·アンプ基板の製作

西村康

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第1章 GaNをはじめとする超高速パワー半導体を壊さず高効率に使うために: 高速スイッチング性能追及！パワー·アンプ基板の製作: 高速スイッチング性能追及！パワー·アンプ基板の製作

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高速スイッチング動作に注目が集まるGaNデバイスが登場して以来，回路の高効率化や小型化が期待されています．しかし，GaNの高速性を存分に生かせるだけの回路が，既存のアプリケーションにはとても少ないのが現状です．その理由として，以下のことが考えられます．（1）スイッチング回路で必要とされるインダクタなどの受動デバイスが，MHz領域で動作させると効率が悪くなる．（2）GaNを高速に効率良くドライブできるゲート·ドライバが少ない．また，特殊なインターフェース回路が必要．

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来源
《トランジスタ技術》 |2023年第701期|158-167|共10页
作者
西村康;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词

第1章 GaNをはじめとする超高速パワー半導体を壊さず高効率に使うために: 高速スイッチング性能追及！パワー·アンプ基板の製作: 高速スイッチング性能追及！パワー·アンプ基板の製作

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