低温近接場顕微鏡用白金イリジウム先鋭探針の開発

金親達哉; 林冠廷; 木村文信梶原優介

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低温近接場顕微鏡用白金イリジウム先鋭探針の開発

机译：低温近接場顕微鏡用白金イリジウム先鋭探針の開発

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近年，半導体素子の線幅が10 nm以下に達している．その中で，製品の不良箇所の検査や設計の最適化のために，微小回路からの発熱のナノスケールでの可視化が産業界で求められている．発熱の本質はノイズによるエネルキー散逸である．このため，従来ナノスケール空間分解能でノイズ分布を取得する試みがなされているが，半導体素子の測定に用いるためには不十分であった．そこで本研究室で構築されたパッシブ型テラへルツ近接場顕微鏡（THz-SNOM）を用いて温度の可視化を行っている．この顕微鏡は物質表面近傍100 nm以内にのみ存在するテラへルツエバネッセント波を観測することができる．この電磁波は，物質内のミクロな電荷の偏りに起因しており，温度変化や物質の誘電率に依存する．常温では波長8～25μm程度である．測定原理は次の通りである．金属探針を物質表面に接近させて近接場光を散乱させる．散乱光は共焦点光学系を通り超高感度テラへルツ波検出器CSIP（Charge Sensitive Infrared Phototransistor）により電気信号に変換される．このような測定原理に基づき常温において金属や半導体上の熱雑音に由来する電荷の偏りを観測することが可能となった．

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来源
《生産研究》 |2019年第731期|1033-1035|共3页
作者
金親達哉; 林冠廷; 木村文信梶原優介;
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作者单位

東京大学大学院工学系研究科;

東京大学生産技術研究所機械·生体系系部門;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类工程基础科学;
关键词

低温近接場顕微鏡用白金イリジウム先鋭探針の開発

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