分子線エピタキシャル(MBE)法によるSi基板上へのⅢ族窒化物へテロエピタキシャル成長

大鉢忠; Tadashi OHACHI

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分子線エピタキシャル(MBE)法によるSi基板上へのⅢ族窒化物へテロエピタキシャル成長

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本プロジェクトはナノ構造領域での研究手段である超高真空技術とナノ構造制御技術に基づくナノ·ハイテク技術を用い，異なる無機材料同士の複合化や有機·無機ナノ構造材料の複合化という異なる分野間のハイブリッド化の可能性を追求する新しいナノハイブリッド構造応用技術の創出を目指している．我々の分担はナノ構造作製の基本技術に超高真空結晶成長技術である分子線エピタキンャル成長(molecular beam epitaxial growth: MBE)を用いた応用技術の開発を目的としている．

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来源
《同誌社大学理工学研究報告》 |2004年第4期|74-79|共6页
作者
大鉢忠; Tadashi OHACHI;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类工程基础科学;
关键词
プラズマ励起窒素源; Siヘテロエピタキシー; MBE; Plasma assisted nitrogen radical source; GaN; Si heteroepitaxy;

分子線エピタキシャル(MBE)法によるSi基板上へのⅢ族窒化物へテロエピタキシャル成長

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