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【24h】

High-power diode lasers at 1178 nm with high beam quality and narrow spectra Relative

机译：1178 nm 的高功率二极管激光器，具有高光束质量和窄光谱相对

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High-power distributed Bragg reflector tapered diode lasers (DBR-TPLs) at 1180 nm were developed based on highly strained InGaAs quantum wells. The lasers emit a nearly diffraction-limited beam with more than two watts with a narrow spectral width. These features are believed to make this type of diode laser a key component for the manufacturing of miniaturized laser modules in the yellow and orange spectral range by second-harmonic generation to cover a spectral region currently not accessible with direct emitting diode lasers. Future applications might be the laser-cooling of sodium, high-resolution glucose-content measurements, as well as spectroscopy on rare earth elements. (C) 2014 Optical Society of America
机译：基于高应变InGaAs量子阱，研制了1180 nm的高功率分布式布拉格反射锥形二极管激光器（DBR-TPL）。激光器发出的光束几乎衍射极限，功率超过两瓦，光谱宽度较窄。这些特性被认为使这种类型的二极管激光器成为通过二次谐波产生制造黄色和橙色光谱范围内的小型化激光模块的关键部件，以覆盖目前直接发射二极管激光器无法到达的光谱区域。未来的应用可能是钠的激光冷却、高分辨率葡萄糖含量测量以及稀土元素的光谱学。（C） 2014年美国光学学会

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