Gate-controlled electron-electron interactions in an In0:53Ga0:47As/InP quantum well structure (vol 150, pg 251, 2010)

著录项

• 来源
  《Solid State Communications》 |2010年第18期|901-901|共1页
• 作者

  Zhou YM; Gao KH; Yu GZhou WZLin TGuo SLChu JHDai N;

  展开▼
• 作者单位

  National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, People's Republic of China;

  展开▼
• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 英语
• 中图分类 固体物理学;
• 关键词

  Gate-controlled; electron-electron; interactions;