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【24h】

非線形プロセスモデルに基づくCMP-APC（第2報）－セリアスラリーによる酸化膜のCMPのRun-to-Run制御

机译：非線形プロセスモデルに基づくCMP-APC（第2報）－セリアスラリーによる酸化膜のCMPのRun-to-Run制御

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セリアスラリーを用いた酸化膜のCMP工程の研磨後膜厚精度向上とスループット向上を目的に，非線形の研磨過程に対して研磨時間を調整するためのプロセスモデルと，プロセスモデルに基づくRun-to-Run制御方法を開発し，以下の結論を得た．（1）表面に凹凸のあるウェハのセリアスラリーを用いた研磨過程を表すために，ブランケットウェハの研磨レートと研磨時間の積と，研磨前膜厚を研磨レートで除した研磨時間補正項よりなるプロセスモデルの表現を提案した．（2） （1）のモデルのパラメータを求めるため，ブランケットウェハ研磨レートと研磨時間の積にかかわる部分モデルのパラメータをまず求め，次に研磨時間補正項のパラメータを求める，2段階パラメータ推定法を考案した．（3） Run-to-Run制御シミュレーションにより，研磨後膜厚の精度を良好にするパラメータを求めて制御パラメータを決定し，工程能力指数C_(pk)=1.39の高い精度を得た．

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