原子スケール構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発

著录项

• 来源
  《精密工学会誌》 |2014年第953期|443-447|共5页
• 作者

  森田行則;

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• 作者单位

  産業技術総合研究所;

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 日语
• 中图分类 仪器、仪表;机械制造工艺;
• 关键词

  Silicon nanowire; MOSFET; O_2 etching; H_2 anneal; Active oxidation;