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難加工半導体材料の高精度研磨法の開発

机译：難加工半導体材料の高精度研磨法の開発

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この技術的課題に対して，切断加工技術や研削加工技術の高度化による加工の高効率化だけでなく，仕上げ加工工程であるCMPの高能率化への試みや触媒基準エッチング法と呼ばれる新しい加工法の開発，プラズマや紫外光を援用した研磨法の研究などが精力的に進められている．このような背景のもとで，酸化力が非常に強いOHラジカルによる表面改質効果を利用したウエットプロセスによる新しい化学的加工法が開発されている．本稿では，この加工方法を利用したSiC基板やGaN基板，ダイヤモンド基板の加工例について紹介する．

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